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메모리의 분류

 

1. 접근 방법에 의한 분류

메모리의 주소에 해당하는 위치에 데이터를 읽거나 쓰는 것을 액세스(Access) 라고 한다. 메모리 시스템에서 필요한 정보에 액세스 하는 방법은 2가지로 구분할 수 있다.

  1. RAM(Random Access Memory) : 각 레지스터는 자기 코어 레지스터와 같이 독립적인 공간을 가지고 있으며, 레지스터들은 서로 독립적인 것으로 취급하고, 접근 시간이 어느 위치나 동일하게 걸리는 메모리 형태이다.
  2. SAM(Sequential Access Memory) : 어떤 매체에 저장되어 있는 정보로 직접 접근 할 수 있는 것이 아니라, 원하는 위치에 도달하는데 일정한 시간이 경과되는 형태이다.

 

2. 기록 기능에 의한 분류

기록기능에는 사용자가 기록하는 것이 가능한 경우와 그렇지 않은 경우가 있다.

  • RWM(Read and Write Memory ; 일반적으로 RAM은 RWM을 가리킨다) : 사용자가 기록과 판독 두가지 모두 수행할 수 있는 메모리를 라고 한다.
  • ROM(Read Only Memory) : 판독만 가능한 메모리이다. ROM에 기록된 정보는 전원이 꺼져도 지워지지 않으므로 프로그램이나 문자패턴 등 고정된 정보의 기억에 사용된다. ROM 제조시 정보가 기록되어 있는 Mask ROM과 제조된 후 사용자가 기록할 수 있는 PROM으로 나눌 수있다.

 

3. 기억방식에 의한 분류

RAM은 정적RAM(SRAM)과 동적RAM(DRAM)으로 구분한다.

  • SRAM : 주로 2진 정보를 저장하는 내부플립플롭으로 구성되며, 저장된 정보는 전원이 공급되는 동안 보존된다. 사용하기 쉽고 읽기와 쓰기 사이클이 더 짧다.
  • DRAM : 2진 정보를 커패시터에 공급되는 전하 형태로 보관한다. 커패시터는 사용되는 전하는 시간이 경과하면 방전되므로 일정 시간안에 재충전 해야 한다. 전력소비자 적고 단일 메모리칩에 더 많은 정보를 저장할 수 있다.

 

4. 휘발성/비휘발성 메모리

일정 시간이 지나거나 전원이 꺼지면 저장된 내용이 지워지는 메모리 형태를 휘발성(Volatile)메모리 또는 소멸성 메모리 라고 한다.

RAM은 모두 외부에서 공급되는 전력을 통해 정보를 저장하기 때문에 여기에 해당한다. 반면 자기코어나 자기 디스크, rom 같은 비휘발성 메모리는 전원이 차된되어도 기록된 정보가 계속 유지 된다.

 

5. 기억소자에 의한 분
기억소자에 따라서 bipolar 메모리, MOS(Metal Oxide Semiconductor)메모리, CCD(Charge Coupled Device), MBM(Magnetic Bubble Memory) 등으로 나눌 수 있다.

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